2024年毕业于山东大学新一代半导体材料研究院，获材料学博士学历、学位；
2024年至今在济南大学物理科学与技术学院从事博士后工作。
以第一作者发表研究论文8篇 (SCI论文7篇)。申请发明专利10余项，授权2项。
方向：从事宽禁带半导体（GaN、AlN）晶体生长、性能研究、器件研究相关工作。
